Samsung 870QVO SSD 1 To SATA3

Samsung 870QVO SSD 1 To SATA3

  • Capacité SSD : 1000 Go
  • Interface : Serial ATA III
  • Algorithmes de sécurité pris en charge : AES 256 bits
  • Format SSD : 2,5 pouces
  • Composant pour : PC/ordinateur portable
  • Cryptage matériel : Oui
  • Taux de transfert de données : 6 Gbit/s

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Samsung 870QVO SSD 1 To SATA3

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SKU: PCC-322021 Category:
EN DÉTAIL

Caractéristiques du produit

Samsung 870QVO SSD 1 To SATA3

Caractéristiques techniques

MarqueSamsung
Référence fabricantMZ-77Q1T0BW
ÉtatNeuf
Algorithmes de sécurité pris en chargeAES 256 bits
Format SSD2,5 pouces
Capacité SSD1000 Go
InterfaceSerial ATA III
Composant pourPC/ordinateur portable
Cryptage matérielOui
Taux de transfert de données6 Gbit/s
Vitesse de lecture560 Mo/s
Vitesse d'écriture530 Mo/s
Lecture aléatoire (4 Ko)98 000 IOPS
Écriture aléatoire (4 Ko)88 000 IOPS
Prise en charge SMARTOui
Prise en charge TRIMOui
temps moyen entre pannes1500000 h
Tension de fonctionnement5 V
Consommation électrique (max)4W
Consommation électrique (moyenne)2,2 W
Plage de température de fonctionnement0 – 70 °C
Coups en fonctionnement1500 G
Largeur69,8 mm
Profondeur100 mm
Hauteur6,8 mm
Type de mémoire NANDSamsung V-NAND QLC (4 bits par cellule)

Informations complémentaires

Marque

Samsung

Référence fabricant

MZ-77Q1T0BW

État

Neuf

Algorithmes de sécurité pris en charge

AES 256 bits

Format SSD

2,5 pouces

Capacité SSD

1000 Go

Interface

Serial ATA III

Composant pour

PC/ordinateur portable

Cryptage matériel

Oui

Taux de transfert de données

6 Gbit/s

Vitesse de lecture

560 Mo/s

Vitesse d'écriture

530 Mo/s

Lecture aléatoire (4 Ko)

98 000 IOPS

Écriture aléatoire (4 Ko)

88 000 IOPS

Prise en charge SMART

Oui

Prise en charge TRIM

Oui

temps moyen entre pannes

1500000 h

Tension de fonctionnement

5 V

Consommation électrique (max)

4W

Consommation électrique (moyenne)

2,2 W

Plage de température de fonctionnement

0 – 70 °C

Coups en fonctionnement

1500 G

Largeur

69,8 mm

Profondeur

100 mm

Hauteur

6,8 mm

Type de mémoire NAND

Samsung V-NAND QLC (4 bits par cellule)

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